（来源：编译自nasdaq）

       三星电子有限公司周二宣布，计划到 2030 年投资约 20 万亿韩元，在器兴园区内建设新的半导体研发综合体 (NRD-K)，占地面积约 109,000 平方米。该综合体还将包括一条研发专用生产线，计划于 2025 年中期投入运营。

       作为一座最先进的设施，NRD-K 于 2022 年开始动工，并将成为三星存储器、系统 LSI 和代工半导体研发的重要研究基地。

       凭借其先进的基础设施，研究和产品级验证将能够在同一屋檐下进行。

       三星位于首尔南部的器兴园区是 1992 年世界上第一颗 64 兆位 (Mb) DRAM 的诞生地，标志着该公司在半导体领域的领导地位的开始。

       新研发设施的建立将带来工艺技术和制造工具的最新发展，延续该基地在创新前沿的传统。

       NRD-K 将配备HighN A极紫外（EUV）光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如具有 1,000 层以上的 3D DRAM 和 V-NAND。

       此外，具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施也计划对接。

       今年第三季度，三星在研发方面投入了创纪录的 8.87 万亿韩元，并不断突破界限，以确保未来技术的竞争力，例如用于高带宽存储器 (HBM) 生产的先进封装。

扩建中国苏州的封装工厂

       三星电子正在扩大对韩国本土和海外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。封装包括塑造半导体芯片以适合其安装设备的技术和工艺。随着 HBM4 等下一代高带宽内存 (HBM) 产品的内部封装工艺的重要性不断增加，三星正致力于增强其封装能力，以确保未来的技术竞争力并缩小与 SK 海力士的差距。

       据业内消息人士报道，三星电子签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂（SESS）的生产设施。该合同价值约200亿韩元。

       苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地，此举被视为封装工艺和生产效率创新的选择。设备交易期间，负责全球制造和基础设施通用测试和封装（TP）中心的副总裁李政三（Lee Jung-sam）被任命为苏州工厂的负责人，该职位自去年以来一直空缺。去年年底。

       三星也在加速扩大韩国本土封装生产基地。最近，该公司与忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装工艺设施。该协议包括到 2027 年底在天安市从三星显示器租赁的 280,000 平方米场地上为 HBM 建造先进的封装设施。

       三星电子目前在天安和温阳园区运营封装生产基地。由于持续的设施投资，温阳园区已达到饱和，促使该公司考虑在天安建立一条用于 HBM 大规模生产的新包装线。天安堆叠工艺的扩张与HBM DRAM的产能成正比。天安工厂的新生产线预计将生产最新的 HBM，包括第 5 代 (HBM3E) 和第 6 代 (HBM4)。

       三星还正在建立先进的封装研发（R&D）系统。该公司计划在今年内运营位于日本横滨的先进封装实验室（APL），该实验室自去年底开始建设。今年年初以来，三星一直在设立APL办公室，扩大员工队伍，建立洁净室，计划到2028年投资400亿日元（约3600亿韩元）。该实验室将专注于高价值芯片技术用于下一代 HBM、人工智能 (AI) 和第五代 (5G) 移动通信。

       封装基地的扩张是缩小与HBM龙头SK海力士差距的策略。值得注意的是，随着主堆栈从现有的8层变为12层，下一代产品HBM4所需的封装方法正在发生变化。此前，2.5D 方法将图形处理单元 (GPU) 和 HBM 水平放置，但从 HBM4 开始，转向 3D 方法，将 HBM 堆叠在 GPU 之上。

       另一个重大变化是转向为客户量身定制的大规模生产。这意味着能否利用先进封装技术实现客户所需的性能成为关键的选择标准。对于HBM4封装，三星目前正在开发各种先进封装技术，包括生产12层和16层产品所需的混合键合技术。

       一位业内人士表示，“三星希望通过第6代HBM实现扭亏为盈，因此将继续努力扩大封装技术和量产能力的差距。”